Диоды
Диоды 2Д419В кремниевые с барьером Шотки.
Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц.
подробнее
Диоды 2Д419Б кремниевые с барьером Шотки.
Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
подробнее
Диоды 2Д419А кремниевые с барьером Шотки.
Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
подробнее
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, со структурой типа p-i-n.
Предназначены для применения в качестве высокочастотных резистивных элементов.
подробнее
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, со структурой типа p-i-n.
Предназначены для применения в качестве высокочастотных резистивных элементов.
подробнее
Диоды 2Д2997А кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
подробнее
Диоды 2Д2990А кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 200 кГц в аппаратуре с общей герметизацией.
подробнее
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 300 кГц во вторичных источниках электропитания аппаратуры, защищенной от воздействия влаги.
подробнее
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 300 кГц во вторичных источниках электропитания аппаратуры, защищенной от воздействия влаги.
подробнее
Диоды кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц во вторичных источниках электропитания аппаратуры с общей герметизацией.
подробнее
Страницы
