2Д2990А
Диоды 2Д2990А кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 200 кГц в аппаратуре с общей герметизацией.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Положительный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Основные технические характеристики диода 2Д2990А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 600 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 650 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,4 В при Inp 20 А;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 150 нс;
• fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц
