1Д508А
Диоды 1Д508А германиевые, микросплавные, импульсные.
Предназначены для применения в сверхбыстродействующих формирователях импульсов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,2 г.
Основные технические характеристики диода 1Д508А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 8 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,75 В;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 60 мкА при Uoбp 8 В;
• Сд - Общая емкость: 0,75 пФ
